Previous Next

Aydın Səfərbəy oğlu Ələkbərov

Ad, soyad, atasının adı:

     Aydın Ələkbərov Səfərbəy oğlu

    Təvəllüdü:

  • 05.06.1960

    Əlaqə (mail)

  • Bu email ünvanı spambotlardan qorunur. Onu görmək üçün JavaScripti qoşmaq lazımdır.

    Təhsili: Ali

  • S.M.Kirov adına  Azərbaycan  Dövlət  Unversiteti  ( indiki  Bakı  Dövlət

    Universiteti,  Fizika  fakultəsi

    Elmi dərəcəsi (Elmi adı) :

     Professor

     İş fəaliyyəti  (vəzifə, işlədiyi  yer):

  • 1982-1985-ci illərdə Fotoelektronika (indiki Elm və Təhsil Nazirliyinin Fizika

     institutu)  elmi-tədqiqat  institutunda  mühəndis-texloloq;

  • 1985-1998-ci illərdə V.İ.Lenin adına APİ-nin  (indiki  ADPU)  “Elektrik və

     optika” kafedrasında baş laborant və laboratoriya müdiri;

  • 1998-2006-cı illərdə həmin kafedrada müəllim;
  • 2006-2022-ci illərdə “Elektrik və optika” kafedrasında  ( indiki  “Ümumi

     fizika”) kafedrasında  dosent;

  • 2022-ci il ADPU-nun Elmi şurasının qərarı ilə “Ümumi fizika” kafedrasında

     professor.

    Tədris etdiyi fənlər :

  • Ümumi fizika
  • Elektrik və  maqnerizm
  • Məktəb fizika  kursunda  test  tapşırıqlarının  həlli  metodikası
  • Fiziki elektronika
  • Kvant fizikası (magistratura)

    Seçilmiş  əsərləri:

  1. M.İ.Murquzov, A.S.Alekperov. The REE Effect on Structural Peculiarities and Optical

     Properties of GeS Single Crystal. The 14th European Conference ot Crustal Phusics ECM-14

     Holland, 1992.

  1. A.S.Alekperov, M.M.Aliyev. Fhotoconductivitg of Monocrystals Ge1-xLnxS. The 11th

     International Conference on Ternary Miltionary Compounds I.K.Solford, 1997.

  1. M.İ.Murquzov, A.S.Ələkbərov. Atom fizikasından laboratoriya praktikumu. Dərs vəsaiti.

     ADPU-nun mətbəəsi, Bakı, 2002, 7 ç.v.

  1. M.İ.Murquzov, A.S.Ələkbərov, C.M.Səfərov. Fiziki elektronikadan laboratoriya praktikumu.

     Dərs vəsaiti. “Nurlan” nəşriyyatı, Bakı, 2004,7,25 ç.v.

  1. M.İ.Murquzov, Ş.H.Əlizadə, A.S.Ələkbərov, N.C.Canəhmədov Fizikadan laboratoriya işləri.

     ( 7-9 siniflər üçün). Dərslik. “Bakı” nəşriyyatı, 2008, 5,5 ç.v.

  1. M.İ.Murquzov, Ş.H.Əlizadə, A.S.Ələkbərov, N.C.Canəhmədov. Fizikadan laboratoriya işləri.

     ( 10-11 siniflər üçün).Dərslik, “Adiloğlu” nəşriyyatı, 2008, 5,5 ç.v.

  1. A.S.Ələkbərov, R.B.Bayramov. Fizika (abituriyentlər üçün). Metodik vəsait. “Elm və

     təhsil”nəşriyyatı, 2011, 12,5 ç.v.

  1. M.İ.Murquzov, A.S.Ələkbərov, O.M.Həsənov. Ümumi fizika kursu. Dərs vəsaiti. “Elm və

     təhsil”nəşriyyatı, 2011, 16 ç.v.

  1. A.S.Alekperov, I.M.Mamedov, O.M.Hasanov. Effect of Nd Atoms on the Electrophysical

     Properties of the Layered GeS Single Crystal. Радиотехника, 2014, вып.178, с.59-63.

  1. 10. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, О.М.Гасанов, Р.Б.Байрамов. Влияния атомов примеси

       Sm  и гамма-излучения на спектры фотопроводимости слоистых монокрис­таллов GeS.

     Журнал Прикладная физика, Москва, 2014, № 5, c.76-80.

  1. 11. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, О.М.Гасанов.Эффект переключения и памяти в слоистых

      кристаллах GeS. Журнал ”Прикладная физика”, Москва, 2015, № 4, c.11-16.

  1. 12. A.S.Alekperov. Production of Ge1-xLnxS Мonocrystals and their Electrophysical and

      Photoelectrical Propertics. Journal of Аdvances in Рhysics. 2015, V.10, №.3, pp.2798-2801.

  1. 13. S.Madatov, A.S.Alekperov, Dzh.A.Magerramova. İnfluance of Pare Earth Elements (Nd,

      Sm, Gd) on the Physicochemical Propertics of GeS Crystal. Crystallography Reports, 2015.

      Vol.60, No.6, рp.921-923.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, О.М.Гасанов, Дж.М.Сафаров. Влияние редкоземельных

      атомов на температурную зависимость фототока в монокристаллах GeS. Журнал

      «Прикладная физика», Москва, 2016, № 1, с.92-95.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, О.М.Гасанов, Дж.М.Сафаров. Влияние атомов примеси

      Sm и гамма излучения на спектры ФЛ слоистого монокристалла GeS. XXIV

      Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и

      приборам ночного видения. 24-27 мая 2016 г.Москва, с.180-181.

  1. А.С. Алекперов, А.Э.Набиев, О.М.Гасанов. Исследование оптического поглощения в

      тонких пленках Ge1-x Smx S. XXVI Международная научно-практическая конференция

      «Фундаментальные и прикладные исследования: проблемы и результаты» 30 мая 2016

      г. Новосибирск, с.44-48.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, О.М.Гасанов, Дж.М.Сафаров. Влияние гамма-облучения

      на фотолюминесценцию монокристалла GeS и Ge1-xNdxS. Журнал «Прикладная

      физика», Москва, 2016, № 6, с.97-101.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, А.Э.Набиев.Влияние примесных атомов Sm на эффект

      переключения в тонких пленких пленках GeS. Известия Саратовского университета.

      Новая серия. Серия: физика, 2016, Т.16, №4, с. 212-218.

  1. Т.М.Панахов, А.С.Алекперов, Т.И.Вердиева.Эффект малых доз в монокристаллах

      Ge1-xLnxS. Международная конференция "Фазовые переходы, критические и

      нелинейные явления в конденсированных средах" 2017 г, Махачкала, c.440-441.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, О.М.Гасанов. Влияние примеси Nd на спектр

      фотопроводимости и оптического поглощения монокристалла GeS. Журнал

      прикладной спектроскопии, Минск, 2017, Т.84,  №1, с. 154-158.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, А.О.Дашдемиров, А.М.Аллахвердиев. Эффект

      электрического переключения проводимости с памятью в структуре

      Ag-GeS:Nd-Ag. Журнал «Прикладная физика», Москва, 2017,  № 6, с.90-95.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, А.Э.Набиев.Влияние гамма-лучей на кристаллическую

      структуру монокристаллов   Ge0.995 Sm0.05 S. XXVIII Международная конференция

      "Радиационная физика твердого тела" Севастополь, 09-14 июля 2018 г, с. 312-314.

  1. H.Ə.Həsənov, A.S.Ələkbərov, A.O.Daşdəmirov. Elektronika və mikroprosessor

      sistemləri.(Dərs vəsaiti.) AR  DTK-nın H.Əliyev adına Akademiyasının  Nəşriyyat-

      poliqrafiya mərkəzi, 2018, 18 ç.v.

  1. Р.С.Мадатов, А.С.Алекперов, А.Э.Набиев.Влияние примесных атомов Nd на спектр

      фотолюминесценции  слоистого монокристалла Ge0.995Nd0.005S. Наносистемы,

      наноматериалы, нанотехнологии. Киев, 2018,  т.16, №3, с. 509-518.

  1. A.S.Alekperov, O.M.Hasanov, Kh.A.Adgezalova. Optical and Electric Phenomena in

      Amorphic Films of GeS REE. XXIV  Международная конференция "Релаксационные

      явления в твердых телах" Воронеж, 2019 г, с. 171-172.

  1. Р.С.Мадатов, Ш.Г.Гасымов, С.С.Бабаев, А.С.Алекперов, И.М.Мовсумова,

      С.Г.Джабаров. Особенности механизма электропроводности в γ−облученных

      монокристаллов TlInSe2 под гидростатическом давлением. Физика и техника

      полупроводников. 2020, том.54, вып.10, c.997−1002.

  1. А.С.Алекперов, А.О.Дашдемиров, Н.А. Исмайылова, С.Г.Джабаров. Получение

      гетероперехода Ge−GeS:Nd и исследование спектральной характеристики. 

       Физика и техника полупроводников. 2020, том.54, вып. 11, c.1193-1196.

  1. A.S.Alekperov, A.E.Nabiyev, T.M.Aydinova. Obtaining Ge-GeS:Nd Heterojunction and

      Research of Current Voltage Curve. Nanosistemi, Nanomateriali, Nanitechnologii. 2021,

      т.19, № 1, с.307-312.

  1. A.S.Alekperov, A.O.Dashdemirov, T.G.Naghiyev, S.H.Jabarov.Effect of Gamma İrradiation

      on the  GeS:Nd Single Crystal. Semiconductors, 2021, Vol.55, No.7, pp.723−726.

  1. A.S.Alekperov, A.O.Dashdemirov, S.G.Asadullayeva, N.A.İsmayılova, S.H.Jabarov.

      Electronik and Optical Properties of GeS and GeS:Nd. International Journal of Modern

      Physics. B, Vol.11, 2021.

  1. A.S.Alekperov, A.O.Dashdemirov, A.E.Shumskaya, S.H.Jabarov. High-Temperature Exciton

      Photoconductivity of  Ge1-xNdxS Crystals. Crystallography, Vol.66, No 7, 2021,

      pp.1320−1325.

  1. A.S.Ələkbərov. Radiasiya şüalanmasının və nadir torpaq metallarının laylı monokristallarının

      fiziki  xassələrinə təsiri. Monoqrafiya,“Ekoprint” nəşriyyatı, 2022, 23 ç.v.

  1. A.S.Alekperov, A.O.Dashdemirov, Y.I.Aliyev. Mechanism and Kinetics of Thermal

      Processes in Ge0,99Nd0,01S Compound. UNEC Journal of Engineering and Applied Scieners.

      Vol.3, No 1, 2023, pp. 28-32.

  1. A.S.Ələkbərov. Fiziki elektronika. “Ekoprint” nəşriyyatı, 2023, 16 ç.v.
  2. 35. A.S.Alekperov, T.İ.İlyasova, M.İ.İsmailov. To the Temperature Dependence of

      Photoconductivity   in GeS Layered Monocrystalline of ER Additive Atoms Effect.  8th

        International Conference Modern Trneds in Physics. 2023 Baku  State University. 

  1. R.S.Madatov, A.S.Alekperov, F.H.Nurmammadova, N.A.Ismyailova, S.H.Jabarov.

      Preparation of N-Si-P-GaSe Heterojunctions Based on an Amorphous GaSe Layer Without

      Impurities and Study of their Electrical Properties. East European of Physics. 1. pp.322-326,

      2024.

  1. 37. G.B.Ibragimov, R.Z.Ibayeva, A.S.Alekperov, B.G.Ibragimov. Light Absorptoin by Free

      Charge Carriers in the Presence of Phonons in an Anisotropic Quantum Wire. Advanced

      Physical Research. Vol.6, No1, 2024, pp. 56-62.

  1. L.N.Ibrahimova, N.M.Abdullayev, N.A.Gardashbeyova, A.S.Alekperov, S.R.Azimova,

      Y.I.Aliyev. Study of Photoconductivity of Thin Films of CdSe Obtained by Chemical

      Deposition. East European of Physics. 1. pp.340-343, 2024.

        Dərs vəsaitləri:

  • Atom  fizikasından  laboratoriya  praktikumu−dərs  vəsaiti,  Bakı-2002.
  • Fizki  elektronikadan  laboratoriya  praktikumu−dərs vəsaiti,  Bakı-2004.
  • Fizikadan  laboratoriya  işləri (orta məktəblərin  VII−XI sinifləri üçün) − dərs

    vəsaiti, Bakı-2008.

  • Ümumi fizika  kursu−dərs vəsaiti,  Bakı-2011.
  • Влияние РЗЭ на физические свойства монокристалла  GeS−monoqrafiya,

     издательства “Lambert”  2016.

  • Elektronika və mikroprosessor sistemləri−dərs vəsaiti, Bakı-2018.
  • Məktəb fizika kursunun tədrisinin elmi əsasları−dərs vəsaiti, Bakı-2020.
  • Radiasiya şüalanmalarının və nadir torpaq metallarının laylı kristalların fiziki

    xassələrinə təsiri−monoqrafiya, Bakı-2021.

ÜNVAN MƏLUMATLARI

Bakı, AZ1000,
Ü.Hacıbəyli küç., 68

KAFEDRALARIMIZ

FAYDALI RESURSLAR

XƏBƏRLƏRƏ ABUNƏ OLUN

E-poçt ünvanınızı daxil etməklə məlumat əldə edin